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產(chǎn)品:RT10a115xe直流電源模塊
原廠家:潤(rùn)海通科技
價(jià)格:商榷
RT10a115xe直流電源模塊充電模塊性能參數(shù)
2.4.1 環(huán)境要求
充電模塊環(huán)境要求見(jiàn)下表:
項(xiàng)目 |
指標(biāo) |
工作溫度 |
-10℃~50℃ |
儲(chǔ)存溫度 |
-25℃~55℃ |
相對(duì)濕度 |
≤95% |
大氣壓力 |
70~106KPa |
冷卻方式 |
智能風(fēng)冷 |
表2-4 充電模塊環(huán)境要求
2.4.2 輸入特性
充電模塊輸入特性見(jiàn)下表:
項(xiàng)目 |
指標(biāo) |
輸入電壓 |
323V~475V(三相三線(xiàn)制) |
輸入電流 |
≤10A |
交流輸入頻率 |
45~65Hz |
效率 |
≥93% |
功率因素 |
≥0.94 |
表2-5 充電模塊輸入特性
2.4.3輸出特性
充電模塊輸出特性見(jiàn)下表:
項(xiàng)目 |
指標(biāo) |
輸出電壓范圍 |
176V~285V或88V~142V |
額定輸出電流 |
10A或20A |
電壓上升時(shí)間 |
3~8秒(軟啟動(dòng)時(shí)間) |
輸出恒流范圍 |
10%~100% |
穩(wěn)流精度 |
≤±0.5%(20%限流測(cè)試) |
負(fù)載電壓紋波系數(shù) |
≤0.5%(有效值) ≤1%(峰值) |
穩(wěn)壓精度 |
≤±0.5% |
溫度系數(shù)(1/℃) |
≤0.2‰ |
均流不平衡度 |
≤±3%(30%~100%額定負(fù)載) |
表2-6 充電模塊輸出特性
2.4.4其他特性
1)機(jī)械參數(shù)
模塊外形尺寸(長(zhǎng)*寬*高):315mm*178mm*88mm
模塊重量:<5Kg
2) 音響噪音:<55dB
3)絕緣電阻:輸入端、輸出端對(duì)外殼相互之間以及輸入對(duì)輸出之間的絕緣電阻>10MΩ(試驗(yàn)電壓500Vdc).
4) 絕緣強(qiáng)度:輸入端、輸出端短接后,在輸入/輸出端與外殼之間施加 50Hz、有效值為2000V的交流電壓1分鐘,無(wú)擊穿或飛弧現(xiàn)象。
5)安規(guī)及EMC標(biāo)準(zhǔn)等級(jí)及判定
序號(hào) |
項(xiàng)目 |
標(biāo)準(zhǔn) |
標(biāo)準(zhǔn)等級(jí) |
1 |
靜電放電搞擾性要求 |
GB/T 17626.2-1998表2 |
Level3 判據(jù)B |
2 |
振蕩波抗擾性要求 |
GB/T 17626.12-1998 表2 |
Level3 判據(jù)B |
3 |
傳導(dǎo)輻射干擾 |
EN55022 |
Class A |
4 |
快速瞬變電脈沖群抗擾性要求 |
EB/T17626.4-1998 |
Level3 判據(jù)B |
5 |
浪涌搞擾性要求 |
GB/T17616.5-1998 |
Level3 判據(jù)B |
6 |
由射頻場(chǎng)感應(yīng)引起的傳 |
GB/T17616.5-1998 |
Level3 判據(jù)B |
7 |
工頻磁場(chǎng)抗擾性要求 |
GB/T17616.8-1998 |
Level4 判據(jù)B |
8 |
阻尼電磁場(chǎng)輻射抗擾度 |
GB/T17616.10-1998 |
Level4 判據(jù)B |
9 |
射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度 |
GB/T17616.3-1998 |
Level3 判據(jù)B |
10 |
電壓暫降、短時(shí)中斷和電 |
IEC61000-4-11 |
95% 0.5Period 判據(jù)B |
>30% 25Period 判據(jù)B |
|||
>90% 250Period 判據(jù)B |
表2-7 安規(guī)及EMC標(biāo)準(zhǔn)
5) MTBF>300,000小時(shí)。
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